IRFB4227PBF

Codice articolo del costruttore: IRFB4227PBF	Produttore/Marca: Infineon Technologies
Parte della descrizione: MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg	Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme RoHS
Nave da: Hong Kong/Shen Zhen	Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS
Schede tecniche: IRFB4227PBF.pdf
100% originale e autentico Rapporto di prova al 100% se la singola parte supera i 500 USD Sostituzione danneggiata garantita al 100%.

Parametri del prodotto

Costruttore	Infineon
Tecnologia	Si
Stile di montaggio	Passanti
Pacchetto / caso	A-220-3
Polarità dei transistor	N-Channel
Numero di canali	1 Canale
Vds – Tensione di rottura drain-source	200 V
Id: corrente di drenaggio continua	65 A
Rds On – Resistenza alla sorgente di drenaggio	24 mOhm
Vgs – Tensione gate-source	- 30 V, + 30 V
Vgs th – Tensione di soglia gate-source	1.8 V
Qg – Carica di gate	70nC
Temperatura operativa minima	- 40 C
Temperatura operativa massima	+ 175 Do
Pd – Dissipazione di potenza	330 W
Modalità canale	Valorizzazione
Packaging	Tubo
Brand	Infineon Technologies
Configurazione	Singolo
Tempo di caduta	31 ns
Transconduttanza diretta – Min	49 S
Altezza	15.65 mm
Lunghezza	10 mm
Tipologia di prodotto	MOSFET
Ora di alzarsi	20 ns
Quantità colli di fabbrica	1000
sottocategoria	MOSFET
Transistor Type	1 canali N
Tempo di ritardo di spegnimento tipico	21 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico	33 ns
Larghezza	4.4 mm
Unità di peso	0.068784 oz

IRFB4227PBF è il codice prodotto di un MOSFET di potenza (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) sviluppato da Infineon Technologies. Si tratta di un MOSFET a canale N progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza, come controllo motore, alimentatori e inverter. Il MOSFET di potenza IRFB4227PBF è progettato per gestire correnti e tensioni elevate, garantendo una commutazione di potenza efficiente con bassa resistenza di conduzione. Offre prestazioni affidabili in applicazioni complesse che richiedono elevata potenza e commutazione rapida.

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