IPD90P04P4L-04

Codice articolo del costruttore: IPD90P04P4L-04	Produttore/Marca: Infineon Technologies
Parte della descrizione: MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2	Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme RoHS
Nave da: Hong Kong/Shen Zhen	Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS
Schede tecniche: IPD90P04P4L-04 Scheda data
100% originale e autentico Rapporto di prova al 100% se la singola parte supera i 500 USD Sostituzione danneggiata garantita al 100%.

Parametri del prodotto

Costruttore	Infineon
Tecnologia	Si
Stile di montaggio	SMD / SMT
Pacchetto / caso	A-252-3
Polarità dei transistor	Canale P.
Numero di canali	1 Canale
Vds – Tensione di rottura drain-source	40 V
Id: corrente di drenaggio continua	90 A
Rds On – Resistenza alla sorgente di drenaggio	6.6 mOhm
Vgs – Tensione gate-source	- 16 V, + 5 V
Vgs th – Tensione di soglia gate-source	1.2 V
Qg – Carica di gate	135nC
Temperatura operativa minima	- 55 C
Temperatura operativa massima	+ 175 Do
Pd – Dissipazione di potenza	125 W
Modalità canale	Valorizzazione
Nome depositato	OptiMOS
Campionati	OptiMOS-P2
Packaging	MouseReel
Brand	Infineon Technologies
Configurazione	Singolo
Tempo di caduta	60 ns
Altezza	2.3 mm
Lunghezza	6.5 mm
Tipologia di prodotto	MOSFET
Ora di alzarsi	20 ns
Quantità colli di fabbrica	2500
sottocategoria	MOSFET
Transistor Type	1 canale P
Tempo di ritardo di spegnimento tipico	140 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico	20 ns
Larghezza	6.22 mm
Unità di peso	0.011640 oz

Mettiti in contatto con noi adesso

Invia l'elenco della distinta base (BOM)

Si prega di fornire le informazioni di contatto in tutti i campi obbligatori. Clic "INVIA RICHIESTA DI RICHIESTA" e ti invieremo un'e-mail al più presto. In alternativa potete contattarci a ga-ic@ic-golden.com

Nome *

Cognome *

Email aziendale *

Numero di telefono *

Azienda *

Paese *

Carica file BOM: supportiamo file .zip, .rar, .xls, .xlsx, .csv, txt, pdf, png, jpg o jpeg inferiori a 4 MB